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01.04.2014 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures | Ausgabe 4/2014

Semiconductors 4/2014

Defect formation and recrystallization mechanisms in silicon-on-sapphire films under ion irradiation

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 4/2014
Autoren:
A. A. Shemukhin, Y. V. Balakshin, V. S. Chernysh, S. A. Golubkov, N. N. Egorov, A. I. Sidorov

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