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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 9/2018

09.03.2018 | Topical Collection: 17th Conference on Defects (DRIP XVII)

Defect-Related Electroluminescence in the 1.2–1.7 μm Range from Boron-Implanted Silicon at Room Temperature

verfasst von: Yuhan Gao, Hao Shen, Jiahao Cao, Dongsheng Li, Deren Yang

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 9/2018

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Metadaten
Titel
Defect-Related Electroluminescence in the 1.2–1.7 μm Range from Boron-Implanted Silicon at Room Temperature
verfasst von
Yuhan Gao
Hao Shen
Jiahao Cao
Dongsheng Li
Deren Yang
Publikationsdatum
09.03.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 9/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6194-9

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