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Erschienen in:
2015 | OriginalPaper | Buchkapitel
3. Der pn-Übergang
verfasst von : Leonhard Stiny
Erschienen in: Aktive elektronische Bauelemente
Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden
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Zusammenfassung
Ein pn-Übergang entsteht durch Zusammenfügen von p- und n-leitendem Halbleitermaterial, er ist die Grenzfläche (Grenzschicht) zwischen einer n-dotierten und einer p-dotierten Zone innerhalb eines monokristallinen Halbleiters. Seine Eigenschaften beruhen auf der sich ausbildenden Raumladungszone am Kontakt von p- und n-leitendem Bereich.
Der pn-Übergang ist das Grundelement zahlreicher Halbleiter-Bauelemente, wie z. B. Diode, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Bipolartransistor, Thyristor oder Triac. Die an ihm auftretenden physikalischen Vorgänge werden hier nur soweit erklärt, wie sie für das Verständnis dieser Bauelemente erforderlich sind. Zunächst wird der pn-Übergang ohne äußere Spannung (im thermodynamischen Gleichgewicht), dann mit äußerer Spannung betrachtet.