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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Determination of poisson’s ratio using growth temperature variations of InGaN/GaN MQW

  • 29.07.2020
Erschienen in:
Verfasst von
Ahmet Kürşat Bilgili
Süleyman Özçelik
Mustafa Kemal Öztürk
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 17/2020

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Abstract

In dieser Studie wird die InGaN / GaN / Al2O3 Multiquantenquantenstruktur (MQW) in einem Temperaturbereich von 300-450 ° C mit Schritten von 50 ° C untersucht. Mithilfe von Gitterkonstanten bei vier verschiedenen Wachstumstemperaturen werden Dehnungswerte gewonnen. Zur Bestimmung des GaN-Verhältnisses in der Struktur wird ein Diagramm der Dehnung in a- versus Stamm in c- verwendet. Das Verhältnis von Poisson wird als 0,36 bestimmt. Die Methode der Röntgenbeugung (RSM) verwendet, um Spitzenpositionen der Probe zu gewinnen, anstatt w-θ-Scans, weil sie genauere Ergebnisse liefert. Verschiebungen der Spitzenpositionen durch Variationen der Wachstumstemperaturen werden gezeigt. Gitterparametergleichungen werden mit den Änderungswinkeln verwendet, die die durch die Neigung von c- in hexagonaler Einheitszelle verursachten Fehler minimieren. Diese Arbeit ist originär, weil Poissons Verhältnis von GaN durch Variationen der Wachstumstemperaturen bestimmt wird. Es wird auch betont, dass RSM eine Methode ist, die auf strukturellen Eigenschaften von RSD basiert.
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Titel
Determination of poisson’s ratio using growth temperature variations of InGaN/GaN MQW
Verfasst von
Ahmet Kürşat Bilgili
Süleyman Özçelik
Mustafa Kemal Öztürk
Publikationsdatum
29.07.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 17/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-04055-6
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