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Erschienen in:
Change Rate Concepts and their Realization in the MM&S: A Computer Program for Modeling and Simulation of Dynamic Systems Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2013 | OriginalPaper | Buchkapitel

50. Development of GUI Based Test and Measurement Facilities for Studying Properties of MOS Devices in Clean Room Environment

verfasst von : Shaibal Saha, Supratic Chakraborty

Erschienen in: Innovations and Advances in Computer, Information, Systems Sciences, and Engineering

Verlag: Springer New York

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Abstract

This article describes a Graphics User Interface (GUI), meant for setting up an integrated Test and Measurement (T&M) facility, to study different electrical properties of Metal Oxide Semiconductor (MOS) devices is designed using Matlab 7.5.0 (R2007b). While developing the GUI, a probe station, connected to a Keithley Switch Matrix, and two other instruments namely, a Keithley Semiconductor Parameter Analyzer (SPA) and an Agilent manufactured Inductance-(L) Capacitance-(C) Resistance-(R) (LCR) Bridge, also connected to the switch matrix are considered. All the instruments are controlled over General Purpose Interface Bus (GPIB) protocol through a controller PC.

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Metadaten
Titel
Development of GUI Based Test and Measurement Facilities for Studying Properties of MOS Devices in Clean Room Environment
verfasst von
Shaibal Saha
Supratic Chakraborty
Copyright-Jahr
2013
Verlag
Springer New York
Buch
Innovations and Advances in Computer, Information, Systems Sciences, and Engineering

Print ISBN: 978-1-4614-3534-1

Electronic ISBN: 978-1-4614-3535-8

Copyright-Jahr: 2013

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4614-3535-8_50

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    Bildnachweise