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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 11/2020

01.07.2020 | International Electron Devices and Materials Symposium 2019

Device Characteristics of E-mode GaN HEMTs with a Second Gate Connected to the Source

verfasst von: Chih-Wei Chen, Wei-Chen Ho, Yue-Ming Hsin, Jerry Tzou, Wen-Hsien Huang, Chang-Hong Shen, Jia-Ming Shieh, Wen-Kuan Yeh, Wen-Ta Hsu, Sze-Ching Liu

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 11/2020

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Metadaten
Titel
Device Characteristics of E-mode GaN HEMTs with a Second Gate Connected to the Source
verfasst von
Chih-Wei Chen
Wei-Chen Ho
Yue-Ming Hsin
Jerry Tzou
Wen-Hsien Huang
Chang-Hong Shen
Jia-Ming Shieh
Wen-Kuan Yeh
Wen-Ta Hsu
Sze-Ching Liu
Publikationsdatum
01.07.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 11/2020
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08292-7

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