Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 20/2018

18.08.2018

Dielectric relaxation and relevant mechanism in giant dielectric constant Sm2/3Cu3Ti4O12 ceramics

verfasst von: Lei Ni, Maosen Fu, Yan Zhang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 20/2018

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Sm2/3Cu3Ti4O12 ceramics with giant dielectric constant were successfully prepared by the traditional solid-state sintering process. The dielectric characteristics and relevant mechanism were systematically investigated. The dielectric constants of Sm2/3Cu3Ti4O12 ceramics can reach to 104 at 298 K and 1 kHz, and also exhibited two distinct thermal-activated dielectric relaxations in different temperature ranges. The dielectric relaxation at low temperatures was regarded as the effect of the polyvalence structures (Cu2+/Cu3+ and Ti3+/Ti4+) in grains due to the oxygen compensation during the sintering process, while the dielectric relaxation at high temperatures was induced by the grain boundary effects. The giant dielectric response in Sm2/3Cu3Ti4O12 ceramics can be associated with the heterogeneous structure and combined effect of the grain and grain boundary.
Vorheriger Artikel Study of WO3-decorated porous silicon and Al2O3-ALD encapsulation
Nächster Artikel Ternary magnetic Ag–Cu/Fe3O4/rGO composite as an efficient photocatalyst for degradation of malachite green

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
C.C. Homes, T. Vogt, S.M. Shapiro, S. Wakimoto, A.P. Ramirez, Science 293, 673 (2001)CrossRef
2.
3.
4.
P. Lunkenheimer, R. Fichtl, S.G. Ebbinghaus, A. Loidl, Phys. Rev. B 70, 172101 (2004)CrossRef
5.
6.
Y. Zhu, J.C. Zheng, L. Wu, A.I. Frenkel, J. Hanson, P. Northrup, W. Ku, Phys. Rev. Lett. 99, 037602 (2007)CrossRef
7.
8.
9.
10.
11.
R. Schmidt, M.C. Stennett, N.C. Hyatt, J. Pokomy, J.P. Gonjua, M. Li, D.C. Sinclair, J. Eur. Ceram. Soc. 32, 3313 (2012)CrossRef
12.
S.H. Hong, D.Y. Kim, H.M. Park, Y.M. Kim, J. Am. Ceram. Soc. 90, 2118 (2007)CrossRef
13.
M. Li, G. Cai, D.F. Zhang, W.Y. Wang, W.J. Wang, X.L. Chen, J. Appl. Phys. 104, 074107 (2008)CrossRef
14.
P. Thongbai, B. Putasaeng, T. Yamwong, S. Maensiri, Mater. Res. Bull. 47, 2257 (2012)CrossRef
15.
J. Jumpatam, B. Putasaeng, T. Yamwron, P. Thongbai, S. Maensiri, Ceram. Int. 39, 1057 (2013)CrossRef
16.
C.H. Mu, Y.Q. Song, H.B. Wang, X.N. Wang, J. Appl. Phys. 117, 17B723 (2015)CrossRef
17.
J. Yang, C.P. Yang, X.J. Luo, D.W. Shi, H.B. Xiao, L.F. Xu, K. Bȁrner, Ceram. Int. 42, 10866 (2016)CrossRef
18.
19.
Z.H. Peng, J.W. Li, P.F. Liang, Z.P. Yang, X.L. Chao, J. Eur. Ceram. Soc. 37, 4637 (2017)CrossRef
20.
R.Z. Xue, G.Y. Zhao, J. Chen, Z.P. Chen, D.W. Liu, Mater. Res. Bull. 76, 124 (2016)CrossRef
21.
J. Boonlakhorn, P. Kidkhunthod, M. Chanlek, P. Thongbai, J. Eur. Ceram. Soc. 38, 137 (2018)CrossRef
22.
J. Wang, Z.Y. Lu, T.F. Deng, C.F. Zhong, Z.W. Chen, J. Am. Ceram. Soc. 100, 4021 (2017)CrossRef
23.
Z.H. Peng, P.F. Liang, X. Wang, H. Peng, X.F. Chen, Z.P. Yang, X.L. Chao, Mater. Lett. 210, 301 (2018)CrossRef
24.
P.F. Liang, Z.P. Yang, X.L. Chao, Z.H. Liu, J. Am. Ceram. Soc. 95, 2218 (2012)CrossRef
25.
J.J. Liu, C.G. Duan, W.N. Mei, R.W. Smith, J.R. Hardy, J. Appl. Phys. 98, 093703 (2005)CrossRef
26.
27.
P. Kum-onsa, P. Thongbai, B. Putasaeng, T. Yamwong, S. Maensiri, J. Eur. Ceram. Soc. 35, 1441 (2015)CrossRef
28.
L. Ni, M.S. Fu, Y. Liu, T.Y. Tang, S. Wang, B. Zou, S.G. Zhao, J. Mater. Sci. 27, 111 (2016)
29.
P.S. Neelakantaswamy, B.V.R. Chowdari, A. Rajaratnam, J. Phys D 16, 1785 (1983)CrossRef
Metadaten
Titel
Dielectric relaxation and relevant mechanism in giant dielectric constant Sm2/3Cu3Ti4O12 ceramics
verfasst von
Lei Ni
Maosen Fu
Yan Zhang
Publikationsdatum
18.08.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 20/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9880-8

Weitere Artikel der Ausgabe 20/2018

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 20/2018 Zur Ausgabe

OriginalPaper

Microstructures and energy storage properties of Sr0.5Ba0.5Nb2O6 ceramics with SrO–B2O3–SiO2 glass addition

OriginalPaper

Determination of the optimum Co concentration in Co:Sb2S3 thin films

OriginalPaper

Comprehensive investigation on direct and converse magnetoelectric effects in longitudinally magnetized and polarized laminate composites by equivalent circuit and experiments

OriginalPaper

Structural, magnetic and magnetocaloric investigation of La0.67Ba0.33Mn1−xNixO3 (x = 0, 0.025 and 0.075) manganite

OriginalPaper

Synthesis of Ag@AgBr/CaTiO3 composite photocatalyst with enhanced visible light photocatalytic activity

OriginalPaper

High performance supercapacitor behavior of hydrothermally synthesized CdTe nanorods

Neuer Inhalt

    Bildnachweise