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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9/2017

17.03.2017

Dielectric relaxation in CoFe2−xYxO4 (x = 0.2, 0.4, 0.6) prepared by hydrothermal method

verfasst von: Kallol Kumar Saikia, Saif Ul Haque, G. Murugesan, S. Kalainathan

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 9/2017

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Abstract

Yttrium substituted cobalt ferrite (CoFe2−xYxO4) powders (x = 0.2, 0.4 and 0.6) have been synthesized by hydrothermal method. X-ray diffraction has revealed the single phase formation of the compound with impurity phase formation at higher yttrium doping. Dielectric relaxations were observed due to the presence of oxygen vacancies and Maxwell–Wagner effect. The activation energies calculated from the impedance spectra confirmed that oxygen vacancies were the causes for dielectric relaxation. Doping of yttrium has suppressed the magnetic saturation due to the decrease of Fe3+–Fe3+ interactions.
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Metadaten
Titel
Dielectric relaxation in CoFe2−xYxO4 (x = 0.2, 0.4, 0.6) prepared by hydrothermal method
verfasst von
Kallol Kumar Saikia
Saif Ul Haque
G. Murugesan
S. Kalainathan
Publikationsdatum
17.03.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 9/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-017-6348-1

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