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01.06.2011 | IIB 2010 | Ausgabe 12/2011

Journal of Materials Science 12/2011

Dislocation structures in a {\( \bar{1} \)104}/〈11\( \bar{2} \)0〉 low-angle tilt grain boundary of alumina (α-Al2O3)

Zeitschrift:
Journal of Materials Science > Ausgabe 12/2011
Autoren:
E. Tochigi, N. Shibata, A. Nakamura, T. Yamamoto, Y. Ikuhara

Abstract

An alumina (α-Al2O3) bicrystal with a (\( \bar{1} \)104)/[11\( \bar{2} \)0] 2o low-angle tilt grain boundary was fabricated by diffusion bonding at 1500 °C in air, and the grain boundary was observed by transmission electron microscopy (TEM). High-resolution TEM observations revealed that the grain boundary consists of at least two kinds of dislocations. One is a perfect dislocation which has a Burgers vector of 1/3[\( \bar{1} \)2\( \bar{1} \)0]. The other is dissociated into two partial dislocations with a stacking fault on the (0001) plane, and each partial dislocation has a 1/6[\( \bar{1} \)101] edge component. It is suggested from structural considerations that the dissociated-dislocation pair originates from a b = 1/3[02\( \bar{2} \)1] perfect dislocation (i.e., 1/3[02\( \bar{2} \)1] → 1/6[02\( \bar{2} \)1] + 1/6[02\( \bar{2} \)1]). This dissociation produces a stacking fault in the anion sublattice. The stacking fault energy is estimated to be roughly 1.3 Jm−2 based on the elastic theory. The authors discuss the dislocation structures and the stacking fault formed on the (0001) plane in detail.

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