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01.01.2015 | XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014 | Ausgabe 1/2015

Semiconductors 1/2015

Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 1/2015
Autoren:
D. A. Pavlov, N. V. Bidus, A. I. Bobrov, O. V. Vikhrova, E. I. Volkova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, D. S. Sorokin

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