Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Erschienen in:

13.06.2016

Dopant induced polarity inversion in polar ZnO nanorods

verfasst von: Neelam Rathore, Shaibal K. Sarkar

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2016

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Abstract

Highly oriented and polarity controlled ZnO nanorod thin films are deposited by chemical bath deposition where the preferred polarity depends on the anionic nature of the Zn salt. Significant differences are noticed in magnesium (Mg) doping concentration on Zn- and O-polar ZnO nanorods. Higher doping concentration is achieved in Zn polar nanorods, which is characterized with different spectroscopic techniques. A noteworthy contribution in morphological changes is noted upon by Mg doping on both Zn- and O-polar ZnO nanorods. Polarity inversion of the individual nanorods are found at certain doping condition, characterized by chemical etching rate measurements and Schottky Barrier Height determination of the individual nanorod.

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Titel: Dopant induced polarity inversion in polar ZnO nanorods
verfasst von: Neelam Rathore
Shaibal K. Sarkar
Publikationsdatum: 13.06.2016
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-016-5088-y

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