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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 1/2014

01.03.2014

Dual material gate junctionless tunnel field effect transistor

verfasst von: Punyasloka Bal, Bahniman Ghosh, Partha Mondal, M. W. Akram, Ball Mukund Mani Tripathi

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 1/2014

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Abstract

This paper proposes a junctionless tunnel field effect transistor (JLTFET) with dual material gate (DMG) structure and the performance was studied on the basis of energy band profile modulation. The two-dimensional simulation was carried out to show the effect of conduction band minima on the abruptness of transition between the ON and OFF states, which results in low subthreshold slope (SS). Appropriate selection of work function for source and drain side gate metal of a double metal gate JLTFET can also significantly reduce the subthreshold slope (SS), OFF state leakage and hence gives improved I ON/I OFF.
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Metadaten
Titel
Dual material gate junctionless tunnel field effect transistor
verfasst von
Punyasloka Bal
Bahniman Ghosh
Partha Mondal
M. W. Akram
Ball Mukund Mani Tripathi
Publikationsdatum
01.03.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 1/2014
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-013-0505-4

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