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2012 | OriginalPaper | Buchkapitel

Dynamic Behavior of Resistive Random Access Memories (RRAMS) Based on Plastic Semiconductor

verfasst von : Paulo R. F. Rocha, Asal Kiazadeh, Qian Chen, Henrique L. Gomes

Erschienen in: Technological Innovation for Value Creation

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

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Resistive Random Access Memories based on metal-oxide polymer diodes are characterized. The dynamic behavior is studied by recording current-voltage characteristics with varying voltage ramp speed. It is demonstrated that these organic memory devices have an internal capacitive double-layer structure, which inhibits the switching at high ramp rates (1000 V/s). This behavior is modeled and explained in terms of an equivalent circuit.

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Metadaten
Titel
Dynamic Behavior of Resistive Random Access Memories (RRAMS) Based on Plastic Semiconductor
verfasst von
Paulo R. F. Rocha
Asal Kiazadeh
Qian Chen
Henrique L. Gomes
Copyright-Jahr
2012
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Buch
Technological Innovation for Value Creation

Print ISBN: 978-3-642-28254-6

Electronic ISBN: 978-3-642-28255-3

Copyright-Jahr: 2012

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-642-28255-3_59