Skip to main content
main-content

Tipp

Weitere Artikel dieser Ausgabe durch Wischen aufrufen

01.06.2015 | Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena | Ausgabe 6/2015

Semiconductors 6/2015

Edge effects in second-harmonic generation in nanoscale layers of transition-metal dichalcogenides

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 6/2015
Autoren:
E. D. Mishina, N. E. Sherstyuk, A. P. Shestakova, S. D. Lavrov, S. V. Semin, A. S. Sigov, A. Mitioglu, S. Anghel, L. Kulyuk

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu diesem Inhalt zu erhalten

Sie möchten Zugang zu diesem Inhalt erhalten? Dann informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 69.000 Bücher
  • über 500 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 58.000 Bücher
  • über 300 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 50.000 Bücher
  • über 380 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Maschinenbau + Werkstoffe




Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Über diesen Artikel

Weitere Artikel der Ausgabe 6/2015

Semiconductors 6/2015 Zur Ausgabe

Proceedings of the Conference “Silicon-2014”, Irkutsk, July 7–12, 2014

Interstitial carbon formation in irradiated copper-doped silicon

Proceedings of the Conference “Silicon-2014”, Irkutsk, July 7–12, 2014

Si(hhm) surfaces: Templates for developing nanostructures

Proceedings of the Conference “Silicon-2014”, Irkutsk, July 7–12, 2014

Effect of copper on the recombination activity of extended defects in silicon

Proceedings of the Conference “Silicon-2014”, Irkutsk, July 7–12, 2014

Recombination activity of interfaces in multicrystalline silicon

Premium Partner

    Bildnachweise