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Journal of Sol-Gel Science and Technology
Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology 1/2013

01.07.2013 | Original Paper

Effect of acetic acid on the performance of solution-processed gallium doped indium oxide thin film transistors

verfasst von: Jee Ho Park, Young Bum Yoo, Keun Ho Lee, Sun Woong Han, Won Jin Choi, Hong Koo Baik

Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology | Ausgabe 1/2013

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Abstract

We investigated a role of acetic acid for solution processed gallium doped indium oxide thin film transistors (TFTs). By adding acetic acid in solution instead of commonly used ethanolamine, electrical performance of GIO TFTs is significantly enhanced. We demonstrated that acetic acid plays a role in enhancing crystallinity, lowering decomposition temperature and reducing hydroxyl groups in the film. The GIO TFTs formed from acetic acid added solution have mobility of 12.68 cm2 V−1 s−1, threshold voltage of −7.4 V, on/off current ratio of 1.07 × 108 and subthreshold slope of 0.78 V/decade.
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Metadaten
Titel
Effect of acetic acid on the performance of solution-processed gallium doped indium oxide thin film transistors
verfasst von
Jee Ho Park
Young Bum Yoo
Keun Ho Lee
Sun Woong Han
Won Jin Choi
Hong Koo Baik
Publikationsdatum
01.07.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Sol-Gel Science and Technology / Ausgabe 1/2013
Print ISSN: 0928-0707
Elektronische ISSN: 1573-4846
DOI
https://doi.org/10.1007/s10971-013-3058-x

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