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01.08.2016 | Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) | Ausgabe 8/2016

Semiconductors 8/2016

Effect of an increase in the density of collision cascades on the efficiency of the generation of primary displacements during the ion bombardment of Si

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 8/2016
Autoren:
K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov

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