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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2016

01.08.2016 | Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)

Effect of an increase in the density of collision cascades on the efficiency of the generation of primary displacements during the ion bombardment of Si

verfasst von: K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2016

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Metadaten
Titel
Effect of an increase in the density of collision cascades on the efficiency of the generation of primary displacements during the ion bombardment of Si
verfasst von
K. V. Karabeshkin
P. A. Karaseov
A. I. Titov
Publikationsdatum
01.08.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616080145

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