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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Effect of antimony doping in mechanochemically synthesized Cu2ZnSnSe4

  • 17.03.2022
Erschienen in:
Verfasst von
Deepak Goyal
C. P. Goyal
H. Ikeda
Piraviperumal Malar
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 13/2022

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Abstract

Der Artikel geht auf die Eigenschaften von Cu2ZnSnSe4 ein, einer Kesteritverbindung mit einer durchstimmbaren optischen Bandspalte und einem hohen Absorptionskoeffizienten, was sie für Dünnschicht-Photovoltaik-Anwendungen geeignet macht. Es beleuchtet die Herausforderungen, vor denen Kesterit-Solarzellen stehen, wie geringe Leerlaufspannung und strukturelle Defekte, und untersucht das Potenzial von Antimon-Doping, um diese Probleme zu entschärfen. Die Studie vergleicht die Wirksamkeit von Antimon-Doping mit anderen Doping-Strategien und liefert eine detaillierte Analyse seiner Auswirkungen auf die optoelektronischen Eigenschaften und Kristallinität des Materials. Die Ergebnisse bieten wertvolle Einblicke in die Effizienzsteigerung von Kesterit-basierten Solarzellen und ebnen den Weg für weitere Fortschritte in der Dünnschicht-Photovoltaik-Technologie.
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Titel
Effect of antimony doping in mechanochemically synthesized Cu2ZnSnSe4
Verfasst von
Deepak Goyal
C. P. Goyal
H. Ikeda
Piraviperumal Malar
Publikationsdatum
17.03.2022
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 13/2022
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-022-08032-z
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