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01.09.2018 | SURFACES, INTERFACES, AND THIN FILMS | Ausgabe 9/2018

Semiconductors 9/2018

Effect of High-Dose Carbon Implantation on the Phase Composition, Morphology, and Field-Emission Properties of Silicon Crystals

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 9/2018
Autor:
R. K. Yafarov
Wichtige Hinweise
Translated by E. Bondareva

Abstract

The study of high-dose carbon-ion implantation without post-process annealing reveals significant modification of the morphology, surface-layer phase composition, and field-emission properties of silicon wafers. The effect of the electrical conductivity type on the evolution of the silicon-crystal surface morphology, upon a variation in the irradiation dose, and a high content of diamond-like phases in the region of microprotrusions at the maximum dose regardless of the electrical conductivity type are found. It is demonstrated that the high-dose implantation of carbon in silicon wafers with a pre-structured surface increases the maximum density of field-emission currents by more than two orders of magnitude.

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