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08.01.2019 | Ausgabe 4/2019

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 4/2019

Effect of holmium doping on structural, electrical and piezoelectric properties of lead-free (Ba,Ca)(Ti,Sn)O3 ceramics

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 4/2019
Autoren:
Chitra, Radhapiyari Laishram, Aditi Vashishtha, Mukesh Kumar Singh, Kamal Kant Chandra, K. Chandramani Singh

Abstract

Lead-free (Ba0.91Ca0.09Sn0.07Ti0.93)O3 (BCST) ceramics, doped with holmium (Ho) in the range 0–1.0 mol%, were synthesized using conventional solid-state sintering method. XRD analyses of these ceramic samples confirm single phase pure perovskite structure. Evidence of Ho3+ substituting Ba2+ via electronic charge compensation exists in the range 0–0.4 mol%, while ionic charge compensation mechanism dominates beyond 0.4 mol%. Crystallite size and lattice strain undergo systematic change, while the room temperature dielectric constant (εrt) decreases with increasing Ho content. The Curie temperature Tc and maximum dielectric constant (εm) at Tc remain almost unchanged. Remnant polarization (Pr), electromechanical coupling constant (kp) and piezoelectric charge coefficient (d33) exhibit increasing trend with increasing Ho content and reach their maximum values of 8.2 µC/cm2, 25% and 220 pC/N respectively at 1.0 mol% of Ho content. The study reveals that doping of BCST system with appropriate quantity of Ho can improve its ferroelectric and piezoelectric properties.

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