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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 6/2017

09.01.2017

Effect of Post-annealing Processes on Filamentary-Based Resistive Switching Mechanism of Chromium Oxide Thin Films

verfasst von: Ngoc Kim Pham, Kieu Hanh Thi Ta, Vinh Cao Tran, Van Hieu Le, Bao Thu Le Nguyen, Heong Kyu Ju, Tosawat Seetawan, Bach Thang Phan

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 6/2017

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Metadaten
Titel
Effect of Post-annealing Processes on Filamentary-Based Resistive Switching Mechanism of Chromium Oxide Thin Films
verfasst von
Ngoc Kim Pham
Kieu Hanh Thi Ta
Vinh Cao Tran
Van Hieu Le
Bao Thu Le Nguyen
Heong Kyu Ju
Tosawat Seetawan
Bach Thang Phan
Publikationsdatum
09.01.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 6/2017
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-5263-1

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