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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 17/2020

20.07.2020

Effect of Pt top electrode deposition on the valence state and resistance switching behavior of NbO2-x

verfasst von: Jimin Lee, Jaeyeon Kim, Taeho Kim, Hyunchul Sohn

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 17/2020

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Abstract

Resistive random-access memory (ReRAM) devices for cross-point array structures require selector elements to suppress the sneak current though neighboring cells. Niobium oxide is a promising candidate for one selector-one ReRAM (1S1R) device because of its diverse electrical characteristics such as resistance threshold switching in NbO2 and resistance memory switching in Nb2O5. In this study, a new method to fabricate a self-formed 1S1R device is suggested, which uses the top electrode Pt sputtering process. During the Pt sputtering of the top electrode, it was observed that the Nb4+ in NbO2-x layer was oxidized into Nb5+, resulting in Nb2O5-rich films. Such self-formed Nb2O5/NbO2-x layer exhibits dissimilar resistance switching behaviors depending on the compliance current during memory operation. A switching model is proposed based on the resistance switching characteristics of the Nb2O5/NbO2-x layer on the compliance current during memory operation.
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Metadaten
Titel
Effect of Pt top electrode deposition on the valence state and resistance switching behavior of NbO2-x
verfasst von
Jimin Lee
Jaeyeon Kim
Taeho Kim
Hyunchul Sohn
Publikationsdatum
20.07.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 17/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-03997-1

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