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01.12.2016 | XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 | Ausgabe 12/2016

Semiconductors 12/2016

Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 12/2016
Autoren:
A. S. Puzanov, S. V. Obolenskiy, V. A. Kozlov

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