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01.10.2016 | Physics of Semiconductor Devices | Ausgabe 10/2016

Semiconductors 10/2016

effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 10/2016
Autoren:
A. F. Tsatsulnikov, V. W. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, S. O. Usov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. M. Ustinov

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