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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 1/2015

01.01.2015 | XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer

verfasst von: N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, S. M. Nekorkin, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/2015

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Metadaten
Titel
Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer
verfasst von
N. V. Dikareva
O. V. Vikhrova
B. N. Zvonkov
N. V. Malekhonova
S. M. Nekorkin
A. V. Pirogov
D. A. Pavlov
Publikationsdatum
01.01.2015
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615010054

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