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Effects of Al doping on the responsivity of solar irradiation of devices that use ZnO nanoparticles

  • 24.03.2017
Erschienen in:

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Abstract

The effect of Al doping on the responsivity to solar irradiation and the response time for devices that use ZnO nanoparticles is studied. The incorporation of Al into ZnO nanoparticles leads to a reduction in the particle size, which causes an increase in the number of oxygen vacancies (VO) and the introduction of Al-ions into the lattice of ZnO. Al-doped ZnO nanoparticles are responsive because there is an increase in the visible-emission absorption. A correlation between the incorporation of Al, the VO density and the photocurrent is determined, which allows the sensitivity of ZnO nanoparticles to solar irradiation to be tuned.

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Titel
Effects of Al doping on the responsivity of solar irradiation of devices that use ZnO nanoparticles
Verfasst von
Yow-Jon Lin
Yao-Ming Chen
Publikationsdatum
24.03.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 14/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-017-6786-9
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