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10.09.2018 | Ausgabe 22/2018

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 22/2018

Effects of annealing and Nb doping on the electrical properties of p-Si/n-β-Ga2O3:Nb heterojunction

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 22/2018
Autoren:
Hao Zhang, Jinxiang Deng, Yafeng He, Ping Duan, Xiaoyang Liang, Ruidong Li, Changdong Qin, Zhiwei Pan, Zhiying Bai, Jiyou Wang

Abstract

p-Si/n-β-Ga2O3:Nb heterojunctions were fabricated by RF magnetron sputtering of β-Ga2O3:Nb layers on the p-Si substrates. The effects of annealing and Nb doping on the properties of heterojunctions were studied. The crystallinity of the β-Ga2O3:Nb film was enhanced by annealing, which also improved the electrical properties of the heterojunctions. The Nb doping greatly affected the IV characteristics of annealed heterojunctions. The ideality factor was calculated by performing plots from the forward bias I–V characteristics. The charge transport properties of the heterojunction were discussed. The activation energy of β-Ga2O3:Nb films were estimated based on the temperature dependence of resistance.

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