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01.02.2007 | Ausgabe 1/2007

Journal of Materials Engineering and Performance 1/2007

Effects of H+ Ion Implantation and Annealing on the Properties of CuIn0.75Ga0.25Se2 Thin Films

Zeitschrift:
Journal of Materials Engineering and Performance > Ausgabe 1/2007
Autoren:
E. Ahmed, R.D. Pilkington, A.E. Hill, M. Amar, W. Ahmed, H. Taylor, M.J. Jackson

Abstract

In this paper the effects of post-deposition annealing followed by hydrogen ion-implantation on the properties of CuIn0.75Ga0.25Se2 thin films have been investigated. The samples were grown by flash evaporation onto glass substrates heated at temperature between room temperature and 200 °C. Selected samples were subsequently processed under several sets of conditions, including vacuum, selenium, inert (argon) and forming gas (a 9:1 mixture of N2:H2) followed by hydrogen ion-implantation. A high-resolution near-infrared photoacoustic spectrometer (PAS) of the gas-microphone type was used for room temperature analysis of non-radiative defect levels in the as-grown, annealed and hydrogen implanted thin films. The absorption coefficient has been derived from the PA spectra to determine the gap energy and to establish the activation energies for several defect-related energy levels. The changes observed in the PA spectra following annealing and ion-implantation has been directly correlated with the compositional and structural properties of the samples.

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