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Journal of Electronic Materials

Effects of Nitrogen Partial Pressure Ratio and Anneal Temperature on the Properties of Al–N Co-Doped ZnO Thin Films

  • 25.04.2018
  • Topical Collection: 18th International Conference on II-VI Compounds
Erschienen in:
Verfasst von
Y. F. Wang
L. D. Yu
H. Y. Chen
B. S. Li
X. J. Wang
Z. G. Liu
Y. Sui
A. Shen
Erschienen in
Journal of Electronic Materials | Ausgabe 8/2018

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Titel
Effects of Nitrogen Partial Pressure Ratio and Anneal Temperature on the Properties of Al–N Co-Doped ZnO Thin Films
Verfasst von
Y. F. Wang
L. D. Yu
H. Y. Chen
B. S. Li
X. J. Wang
Z. G. Liu
Y. Sui
A. Shen
Publikationsdatum
25.04.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 8/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6294-6

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Preface

  • Topical Collection: 18th International Conference on II–VI Compounds

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