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10.12.2016 | Ausgabe 7/2017

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2017

Effects of silver nanowire concentration and annealing temperature on the optoelectronic properties of hybrid transparent electrodes

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 7/2017
Autoren:
Keh-Moh Lin, Ru-Li Lin, Wen-Tse Hsiao, Sin-Wei Wu, Chia-Yuan Chou

Abstract

In this study, Ag nanowire (AgNW) was used to fabricate ITO/AgNW/ITO (IAI) and ZnO/AgNW/ZnO (ZAZ) hybrid transparent electrodes. The covered area ratio of AgNW showed that when AgNW concentration nAgNW ≥ 2.0 mg/mL, AgNW easily agglomerated during the spin-coating. Meanwhile, Haacke index and haziness measurements also indicated that for application with high optical demands, the AgNW concentration should be ≤2.0 mg/mL for both ZnO or ITO systems. In this study, when nAgNW = 2.0 mg/mL, the sheet resistant of ZAZ electrodes was 10.5 Ω/sq while the transmittance (including glass) was 72.7% in the visible region. For IAI electrodes, the sheet resistant was 18.8 Ω/sq and transmittance (including glass) was 78.2% in the visible region. Further analysis implied that the sheet resistance of hybrid electrodes could be as low as 10 Ω/sq by optimizing AgNW distribution as well as using suitable annealing techniques.

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