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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 1/2019

16.10.2018

Efficiency Improvements in AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes with Graded Superlattice Last Quantum Barrier and Without Electron Blocking Layer

verfasst von: Xiu Zhang, Huiqing Sun, Jing Huang, Tianyi Liu, Xin Wang, Yaohua Zhang, Shupeng Li, Sheng Zhang, Yufei Hou, Zhiyou Guo

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 1/2019

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Metadaten
Titel
Efficiency Improvements in AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes with Graded Superlattice Last Quantum Barrier and Without Electron Blocking Layer
verfasst von
Xiu Zhang
Huiqing Sun
Jing Huang
Tianyi Liu
Xin Wang
Yaohua Zhang
Shupeng Li
Sheng Zhang
Yufei Hou
Zhiyou Guo
Publikationsdatum
16.10.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 1/2019
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6716-5

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