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Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 10/2017

01.10.2017

Efficient coupling of the inhomogeneous current spreading model to the dynamic electro-optical solver for broad-area edge-emitting semiconductor devices

verfasst von: Mindaugas Radziunas, Anissa Zeghuzi, Jürgen Fuhrmann, Thomas Koprucki, Hans-Jürgen Wünsche, Hans Wenzel, Uwe Bandelow

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 10/2017

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Abstract

We extend a 2 (space) + 1 (time)-dimensional traveling wave model for broad-area edge-emitting semiconductor lasers by a model for inhomogeneous current spreading from the contact to the active zone of the laser. To speedup the performance of the device simulations, we suggest and discuss several approximations of the inhomogeneous current density in the active zone.
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Literatur
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Wenzel, H.: Basic aspects of high-power semiconductor laser simulation. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 19, 1–13 (2013) CrossRef
Metadaten
Titel
Efficient coupling of the inhomogeneous current spreading model to the dynamic electro-optical solver for broad-area edge-emitting semiconductor devices
verfasst von
Mindaugas Radziunas
Anissa Zeghuzi
Jürgen Fuhrmann
Thomas Koprucki
Hans-Jürgen Wünsche
Hans Wenzel
Uwe Bandelow
Publikationsdatum
01.10.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 10/2017
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-017-1168-3

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