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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 1/2017

12.09.2016

Elasticity, Hardness and Thermal Conductivity of Si-Ge-Based Oxynitrides (SiGeN2O)

verfasst von: Yingchun Ding, Min Chen, Wenjuan Wu, Ming Xu

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 1/2017

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Metadaten
Titel
Elasticity, Hardness and Thermal Conductivity of Si-Ge-Based Oxynitrides (SiGeN2O)
verfasst von
Yingchun Ding
Min Chen
Wenjuan Wu
Ming Xu
Publikationsdatum
12.09.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 1/2017
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-4915-5

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