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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 3/2017

06.01.2017

Electrical and Dielectric Properties of a n-Si Schottky Barrier Diode with Bismuth Titanate Interlayer: Effect of Temperature

verfasst von: M. Yıldırım, C. Şahin, Ş. Altındal, P. Durmuş

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 3/2017

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Metadaten
Titel
Electrical and Dielectric Properties of a n-Si Schottky Barrier Diode with Bismuth Titanate Interlayer: Effect of Temperature
verfasst von
M. Yıldırım
C. Şahin
Ş. Altındal
P. Durmuş
Publikationsdatum
06.01.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 3/2017
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-5255-1

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