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16.06.2018 | Ausgabe 16/2018

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 16/2018

Electrical characterization of nanocrystalline SnSe and ZnSe thin films: effect of annealing

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 16/2018
Autoren:
Deep Shikha, Vimal Mehta, Jeewan Sharma, R. P. Chauhan

Abstract

In this paper, experimental data on the electrical properties of as deposited and annealed nanocrystalline SnSe and ZnSe thin films are reported. The thin films of SnSe and ZnSe are deposited on glass substrate by chemical bath deposition method. The films are studied before and after thermal annealing at temperatures 473 K for 1 h. This annealing is done in vacuum of 2 × 10−3 mbar. The various electrical parameters like dark conductivity, photoconductivity, activation energy, photosensitivity and carrier life time have been measured on these films before and after annealing.

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