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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 16/2018

16.06.2018

Electrical characterization of nanocrystalline SnSe and ZnSe thin films: effect of annealing

verfasst von: Deep Shikha, Vimal Mehta, Jeewan Sharma, R. P. Chauhan

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 16/2018

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Abstract

In this paper, experimental data on the electrical properties of as deposited and annealed nanocrystalline SnSe and ZnSe thin films are reported. The thin films of SnSe and ZnSe are deposited on glass substrate by chemical bath deposition method. The films are studied before and after thermal annealing at temperatures 473 K for 1 h. This annealing is done in vacuum of 2 × 10−3 mbar. The various electrical parameters like dark conductivity, photoconductivity, activation energy, photosensitivity and carrier life time have been measured on these films before and after annealing.
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Metadaten
Titel
Electrical characterization of nanocrystalline SnSe and ZnSe thin films: effect of annealing
verfasst von
Deep Shikha
Vimal Mehta
Jeewan Sharma
R. P. Chauhan
Publikationsdatum
16.06.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 16/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9489-y

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