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2020 | OriginalPaper | Buchkapitel

25. Electrical Properties 4

Band Offsets and Interface State Density Characterization of Dielectric/Ga2O3 Interfaces

verfasst von : Marko J. Tadjer, Virginia D. Wheeler, David I. Shahin

Erschienen in: Gallium Oxide

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

This chapter reviews recent literature on band offsets of dielectrics and semiconductors to gallium oxide and its ternary alloy, aluminum gallium oxide. Band diagram principles are reviewed, and an X-Ray photoelectron spectroscopy method for accurate band offset measurement is discussed. Interface state density measurements of Ga2O3 MOS capacitors are reviewed, and Terman method results for the HfO2/β-Ga2O3 and ZrO2/β-Ga2O3 are presented. Fowler-Nordheim tunneling model was used to fit the leakage current for the HfO2/β-Ga2O3 MOS structure. A need for new dielectrics with both wide bandgap and high dielectric constant is noted, and possible new directions for research are presented.

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Metadaten
Titel
Electrical Properties 4
verfasst von
Marko J. Tadjer
Virginia D. Wheeler
David I. Shahin
Copyright-Jahr
2020
Buch
Gallium Oxide

Print ISBN: 978-3-030-37152-4

Electronic ISBN: 978-3-030-37153-1

Copyright-Jahr: 2020

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-030-37153-1_25

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