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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 9/2018

01.09.2018 | MICROCRYSTALLINE, NANOCRYSTALLINE, POROUS, AND COMPOSITE SEMICONDUCTORS

Electrical Properties and Energy Parameters of n-FeS2/p-Cd1 –xZnxTe Heterojunctions

verfasst von: I. G. Orletskyi, M. I. Ilashchuk, M. N. Solovan, P. D. Maryanchuk, O. A. Parfenyuk, E. V. Maistruk, S. V. Nichyi

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2018

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Abstract

The conditions for fabricating n-FeS2/p-Cd1 –xZnxTe heterojunctions by the spray pyrolysis of thin pyrite films on p-Cd1 –xZnxTe crystalline substrates are investigated. A comprehensive analysis of the current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) characteristics makes it possible to establish the limitation of the reverse current by the space-charge region at small reverse biases and consider the mechanisms of current formation with the participation of energy levels near the heterojunction. A model of the energy profile of the n-FeS2/p-Cd1 –xZnxTe heterojunction is proposed, which turns out to be in good correspondence with the experimentally determined parameters and the dynamics of their change with a variation in temperature.
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Literatur
1.
2.
A. Ennaoui, S. Fiechter, C. Pettenkofer, N. Alonso-Vante, K. Bü]ker, M. Bronold, C. Höpfner, and H. Tributsch, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 29, 289 (1993).CrossRef
3.
S. Middya, A. Layek, A. Dey, and P. Ray, J. Mater. Sci. Technol. 30, 770 (2014).CrossRef
4.
L. Luo, W. Luan, B. Yuan, C. Zhang, and L. Jin, Energy Proc. 75, 2181 (2015).CrossRef
5.
S. Shukla, N. H. Loc, P. P. Boix, T. M. Koh, R. R. Prabhakar, H. K. Mulmudi, J. Zhang, S. Chen, C. F. Ng, C. H. A. Huan, N. Mathews, T. Sritharan, and Q. Xiong, ACS Nano 8, 10597 (2014).CrossRef
6.
S. Kawai, R. Yamazaki, S. Sobue, E. Okuno, and M. Ichimura, APL Mater. 2, 32110 (2014).CrossRef
7.
K. P. Bhandari, P. Koirala, N. R. Paudel, R. R. Khanal, A. B. Phillips, Y. Yan, R. W. Collins, M. J. Heben, and R. J. Ellingson, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 140, 108 (2015).CrossRef
8.
N. Berry, M. Cheng, C. L. Perkins, M. Limpinsel, J. C. Hemminger, and M. Law, Adv. Energy Mater. 2, 1124 (2012).CrossRef
9.
10.
Z. Yang, M. Wang, S. Shukla, Y. Zhu, J. Deng, H. Ge, X. Wang, and Q. Xiong, Sci. Rep. 5, 11377 (2015).ADSCrossRef
11.
I. G. Orletskii, P. D. Mar’yanchuk, E. V. Maistruk, M. N. Solovan, and V. V. Brus, Phys. Solid State 58, 37 (2016).ADSCrossRef
12.
I. G. Orletskii, P. D. Maryanchuk, E. V. Maistruk, M. N. Solovan, D. P. Koziarskyi, and V. V. Brus, Inorg. Mater. 52, 851 (2016).CrossRef
13.
V. V. Brus, I. S. Babichuk, I. G. Orletskyi, P. D. Maryanchuk, V. O. Yukhymchuk, V. M. Dzhagan, I. B. Yanchuk, M. M. Solovan, and I. V. Babichuk, Appl. Opt. 55, B158 (2016).CrossRef
14.
I. G. Orletskii, P. D. Mar’yanchuk, M. N. Solovan, V. V. Brus, E. V. Maistruk, D. P. Kozyarskii, and S. L. Abashin, Phys. Solid State 58, 1058 (2016).ADSCrossRef
15.
I. G. Orletskii, P. D. Mar’yanchuk, M. N. Solovan, E. V. Maistruk, and D. P. Kozyarskii, Tech. Phys. Lett. 42, 291 (2016).ADSCrossRef
16.
J. J. Kennedy, P. M. Amirtharaj, P. R. Boyd, S. B. Qadri, R. C. Dobbyn, and G. G. Long, J. Cryst. Growth 86, 93 (1988).ADSCrossRef
17.
K. Guergouri, R. Triboulet, A. Tromson-Carli, and Y. Marfaing, J. Cryst. Growth 86, 61 (1988).ADSCrossRef
18.
A. V. Savitsky, M. I. Ilashchuk, O. A. Parfenyuk, K. S. Ulyanytsky, V. R. Burachek, R. Ciach, Z. Swiatek, and Z. Kuznicki, Thin Solid Films 361–362, 203 (2000).CrossRef
19.
C.-T. Kao,  J.-B. Shi,  H.-W. Lee,  F.-C. Cheng, H.-H. Liu, M.-W. Lee, C.-C. Chan, C.-W. Huang, H.-S. Lin,  P.-F. Wu,  C.-Y.  Chen,  M.-C.  Kao, S.-L. Young, and C.-L. Lin, J. Therm. Spray Technol. 25, 580 (2016).ADSCrossRef
20.
M. Morsli, A. Bonnet, L. Cattin, A. Conan, and S. Fiechter, J. Phys. (Paris) 5, 699 (1995).
21.
22.
B. L. Sharma and R. K. Purohit, Semiconductor Heterojunctions (Pergamon, Oxford, 1974; Sov. Radio, Moscow, 1979), Chap. 1, p. 14.
23.
24.
D. J. Olego, J. P. Faurie, S. Sivananthan, and P. M. Raccah, Appl. Phys. Lett. 47, 1172 (1985).ADSCrossRef
25.
V. M. Andreev, V. A. Grilikhes, and V. D. Rumyantsev, Photoelectrical Conversion of Concentrated Solar Radiation (Nauka, Leningrad, 1989), Chap. 1, p. 19 [in Russian].
26.
27.
V. V. Brus, M. I. Ilashchuk, Z. D. Kovalyuk, P. D. Maryanchuk, K. S. Ulyanytsky, and B. N. Gritsyuk, Semiconductors 45, 1077 (2011).ADSCrossRef
28.
V. V. Brus, I. G. Orletsky, M. I. Ilashchuk, and P. D. Maryanchuk, Semiconductors 48, 1046 (2014).ADSCrossRef
29.
G. P. Parkhomenko, M. N. Solovan, A. I. Mostovyi, K. S. Ulyanytsky, and P. D. Maryanchuk, Semiconductors 51, 344 (2017).ADSCrossRef
30.
A. Milnes and D. Feucht, Heterojunctions and Metal Semiconductor Junctions (Mir, Moscow, 1975; Academic, New York, 1972), Chap. 2, p. 61.
31.
Metadaten
Titel
Electrical Properties and Energy Parameters of n-FeS2/p-Cd1 –xZnxTe Heterojunctions
verfasst von
I. G. Orletskyi
M. I. Ilashchuk
M. N. Solovan
P. D. Maryanchuk
O. A. Parfenyuk
E. V. Maistruk
S. V. Nichyi
Publikationsdatum
01.09.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618090117

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