Skip to main content
main-content

Tipp

Weitere Artikel dieser Ausgabe durch Wischen aufrufen

01.06.2017 | Electronic Properties of Semiconductors | Ausgabe 6/2017

Semiconductors 6/2017

Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 6/2017
Autoren:
G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil’evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu diesem Inhalt zu erhalten

Sie möchten Zugang zu diesem Inhalt erhalten? Dann informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 69.000 Bücher
  • über 500 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 58.000 Bücher
  • über 300 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 50.000 Bücher
  • über 380 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Maschinenbau + Werkstoffe




Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Über diesen Artikel

Weitere Artikel der Ausgabe 6/2017

Semiconductors 6/2017 Zur Ausgabe

Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

On the detachment of thin ITO films from silicon substrate by microsecond laser irradiation

XV International Conference “Thermoelectrics and Their Applications—2016”, St. Petersburg, November 15–16, 2016

Thermoelectric properties of InSb〈Zn〉 in nanoporous glass

Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)

Study of the distribution profile of iron ions implanted into silicon

XV International Conference “Thermoelectrics and Their Applications—2016”, St. Petersburg, November 15–16, 2016

Preparation and properties of Zn4Sb3-based thermoelectric material

XV International Conference “Thermoelectrics and Their Applications—2016”, St. Petersburg, November 15–16, 2016

Structure of thermoelectric films of higher manganese silicide on silicon according to electron microscopy data

Premium Partner

    Bildnachweise