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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 2/2015

01.06.2015

Electronic properties of axial In\(_x\)Ga\(_{1-x}\)N insertions in GaN nanowires

verfasst von: Oliver Marquardt, Lutz Geelhaar, Oliver Brandt

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 2/2015

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Abstract

We study the optoelectronic properties of GaN nanowires with \(\hbox {In}_{x}\hbox {Ga}_{1-x}\hbox {N}\) insertions of different, experimentally observed shapes using an eight-band \(\mathbf {k}\cdot \mathbf {p}\) model. We discuss the impact of the shape on the polarization potential and the confinement of electrons and holes as well as the influence of the surface potential. Finally, we compute the dipole matrix elements for the transitions between several electron and hole states and present them as a function of the transition energy.
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Metadaten
Titel
Electronic properties of axial InGaN insertions in GaN nanowires
verfasst von
Oliver Marquardt
Lutz Geelhaar
Oliver Brandt
Publikationsdatum
01.06.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 2/2015
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-015-0669-1

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