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Journal of Electronic Materials

Published in:

02-01-2020

A Physics-Based Compact Static and Dynamic Characteristics Model for Al₂O₃/In_xAl_1−xN/AlN/GaN MOS-HEMTs

Authors: Abbes Beloufa, Driss Bouguenna, Nawel Kermas, Donat Josef As

Published in: Journal of Electronic Materials | Issue 3/2020

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Title: A Physics-Based Compact Static and Dynamic Characteristics Model for Al2O3/InxAl1−xN/AlN/GaN MOS-HEMTs
Authors: Abbes Beloufa
Driss Bouguenna
Nawel Kermas
Donat Josef As
Publication date: 02-01-2020
Publisher: Springer US
Published in: Journal of Electronic Materials / Issue 3/2020
Print ISSN: 0361-5235
Electronic ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-019-07927-8