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2022 | OriginalPaper | Chapter

9. Arbeitsspeicher

Author : Klaus Brüderle

Published in: Bits und Bytes in Mikrochips

Publisher: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Damit die Daten (Bits in Form von elektrischen Ladungen, d. h. Elektronen) von den langsamen Datenträgern schnell dem Prozessor angeboten werden können, müssen sie im Arbeitsspeicher auf Abruf zwischengespeichert werden.
Wie sind diese Speicherchips und Speichermodule aufgebaut und was ergibt sich daraus? Wie lesen die Chips, was sind Timings und welche Rolle spielen sie? Womit können wir zur Kontrolle das digitale Datenblatt auf dem Modul (DIMM) auslesen? Welche Eigenheiten und Spezialitäten haben SDRAM-Typen von DDR3 bis DDR5 und wie sollten wir aufrüsten? Welchen Nutzen haben NVDIMMs usw.
Das alles und vieles mehr enthalten die nächsten Abschnitte dieses Kapitels.
  • Begriffe: Speichermodule, Ranks, SDRAM, interne Bänke, Speicherzellen, Refresh, Sense Amps (Verstärker), Lesevorgang
  • Beschreiben und lesen von Speicherzellen, Timings CL, t RCD und tRP, Page Miss, Seitenkanalattacken (Meldown, Spectre)
  • Digitales Datenblatt, SDRAM-Typen bis DDR5, interner Chiptakt – externe Datenrate, Speichercontroller
  • Prefetching und seinen Einfluss auf den externen Speichertakt
  • Schneller Speichertakt, langsamer Chiptakt
  • Speicher aufrüsten, x4-SDRAMs für Server, Modulkapazität, Ranks und Speichertakt
  • Speichergeschwindigkeit mit Ryzen-CPUs 2000, 3000G, 3000, 4000G und 5000
  • Datenraten der DDR5-Speicherchips
  • NV-DIMMs, SO-DIMMs, OC-Module, RDIMMs
  • Politik und Speichertechnologie
  • Verwendbarer Speichertyp, Core-i-11000K-Controller
  • Geschwindigkeitsvorteil mit belegtem zweiten Speicherkanal (Dual Channel), 64-Bit-CPU
  • Cache, L3-, L2- und L1-Cache, LLC SRAM-Speicherzellen
  • Speicher-Latenzen (Reaktionszeiten, Wartezeiten)

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Metadata
Title
Arbeitsspeicher
Author
Klaus Brüderle
Copyright Year
2022
Book
Bits und Bytes in Mikrochips

Print ISBN: 978-3-658-35972-0

Electronic ISBN: 978-3-658-35973-7

Copyright Year: 2022

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-35973-7_9