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Published in: Semiconductors 1/2015

01-01-2015 | XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium

Authors: D. A. Pavlov, N. V. Bidus, A. I. Bobrov, O. V. Vikhrova, E. I. Volkova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, D. S. Sorokin

Published in: Semiconductors | Issue 1/2015

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Metadata
Title
Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium
Authors
D. A. Pavlov
N. V. Bidus
A. I. Bobrov
O. V. Vikhrova
E. I. Volkova
B. N. Zvonkov
N. V. Malekhonova
D. S. Sorokin
Publication date
01-01-2015
Publisher
Pleiades Publishing
Published in
Semiconductors / Issue 1/2015
Print ISSN: 1063-7826
Electronic ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615010182

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