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Published in:

13-07-2024

Feasibility of a 9 THz HgTe/HgCdTe quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser

Authors: A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin

Published in: Journal of Computational Electronics | Issue 5/2024

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Abstract

We propose an original design for a HgCdTe-based terahertz vertical-cavity surface-emitting laser with twenty 5 nm HgTe quantum wells. Feasibility of laser generation at 9 THz and a lattice temperature of 8 K is shown. The estimate of the threshold pump intensity using laser radiation at a wavelength of 5 μm is 3 W/cm2, which makes it possible to expect continuous wave (CW) mode lasing. Such a low required pump intensity will make it possible to create a very compact system of a laser pumped by CW mid-infrared quantum cascade laser.

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Literature
20.
go back to reference Chu, J., Sher, A.: Physics and properties of narrow gap semiconductors. Springer, New York (2008) Chu, J., Sher, A.: Physics and properties of narrow gap semiconductors. Springer, New York (2008)
Metadata
Title
Feasibility of a 9 THz HgTe/HgCdTe quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser
Authors
A. A. Dubinov
V. Ya. Aleshkin
Publication date
13-07-2024
Publisher
Springer US
Published in
Journal of Computational Electronics / Issue 5/2024
Print ISSN: 1569-8025
Electronic ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-024-02198-x