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2005 | OriginalPaper | Chapter

Halbleiter-Laser

Author : Prof. Dr. rer. nat. Dieter Meschede

Published in: Optik, Licht und Laser

Publisher: Vieweg+Teubner Verlag

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Schon unmittelbar nach der Demonstration von Rubin- (1960) und Helium-Neon-Laser (1962) wurde auch die Lasertätigkeit von Dioden oder „Halbleiter-Lasern“ vorhergesagt

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und wenig später im Experiment realisiert. Es hat aber mehr als 20 Jahre gedauert, bis diese Komponenten zu kommerziell erfolgreichen Produkten geworden sind, weil eine Vielzahl technologischer Probleme zu überwinden war. So konnten zum Beispiel die ersten Laserdioden nur bei kryogenischen Temperaturen betrieben werden, während Anwendungen i. Allg. Betriebstemperaturen in der Nähe der Raumtemperatur fordern. Außerdem war GaAs das erste bedeutende Material zur Herstellung von Laserdioden und nicht Silizium, das ansonsten die Halbleitertechnologie dominiert. Laserdioden zählen zu den wichtigsten „optoelektronischen“ Komponenten, weil sie die direkte Umwandlung eines Stromes in (kohärentes!) Licht erlauben. Es gibt daher zahllose physikalische, technische und wirtschaftliche Gründe, diesen Komponenten und Lasersystemen ein eigenes Kapitel zu widmen.

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Metadata
Title
Halbleiter-Laser
Author
Prof. Dr. rer. nat. Dieter Meschede
Copyright Year
2005
Publisher
Vieweg+Teubner Verlag
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-663-10954-9_9

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