Top

Published in:

2023 | OriginalPaper | Chapter

2. Halbleitertechnologie: Vom Silizium zum integrierten Schaltkreis

Authors : Jens Lienig, Jürgen Scheible

Published in: Grundlagen des Layoutentwurfs elektronischer Schaltungen

Publisher: Springer International Publishing

Activate our intelligent search to find suitable subject content or patents.

search-config

AI-assisted search

Off

Zusammenfassung

In diesem Kapitel befassen wir uns mit den Fertigungstechnologien für integrierte Schaltkreise, sofern sie für den Layoutentwurf relevant sind. Nach einer kurzen Einführung in die Grundlagen der IC-Fertigung (Abschn. 2.1) und das dabei verwendete Basismaterial Silizium (Abschn. 2.2) gehen wir in Abschn. 2.3 zunächst auf das für alle Strukturierungsmaßnahmen eingesetzte Verfahren der Fotolithografie ein. In Abschn. 2.4 machen wir dann theoretische Vorbetrachtungen zu einigen bei der IC-Fertigung typischen Phänomenen. Deren Kenntnis ist für das Verständnis der Prozessschritte, die wir in den Abschn. 2.5 bis 2.8 behandeln, besonders hilfreich. In Abschn. 2.9 erläutern wir das Funktionsprinzip eines Feldeffekttransistors, dem wichtigsten Bauelement in heutigen ICs, bevor wir in Abschn. 2.10 dessen Entstehung anhand eines einfachen Beispielprozesses beschreiben. Am Ende jedes Abschnitts beleuchten wir das behandelte Thema nochmals aus Sicht des Layoutentwurfs und sprechen dabei wichtige entwurfsrelevante Aspekte an.

Dont have a licence yet? Then find out more about our products and how to get one now:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 102.000 Bücher
über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Finance + Banking
Management + Führung
Marketing + Vertrieb
Maschinenbau + Werkstoffe
Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 67.000 Bücher
über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Maschinenbau + Werkstoffe

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

previous chapter Einführung

next chapter Brücken zur Technologie: Schnittstellen, Entwurfsregeln und Bibliotheken

1 eV ist die kinetische Energie, die ein Elektron entlang eines Potenzialgefälles von 1 V aufnimmt.

Benannt nach dem polnischen Wissenschaftler Jan Czochralski, der die Methode 1915 bei der Untersuchung der Kristallisationsraten von Metallen erfand.

Dieses Prinzip haben wir bereits in Abschn. 1.1.1 bei der Strukturierung von Leiterbahnen auf Leiterplatten kennengelernt.

Wollte man z. B. einen 300 mm-Wafer mit einer 5X-Maske in nur einem Schritt belichten, müsste die Fotomaske einen Durchmesser von 1,5 m haben. Fotomasken und auch entsprechende Linsensysteme dieser Größenordnung sind aus technischen und wirtschaftlichen Gründen nicht realisierbar.

Die Begriffe FEOL (Front-end-of-line) und BEOL (Back-end-of-line) haben wir in Abschn. 1.1.3 eingeführt. Sie bezeichnen die beiden Hauptphasen eines Halbleiterprozesses, Bauelemente erzeugen und Bauelemente verbinden, die wir am Beispiel eines CMOS-Standardprozesses in Abschn. 2.10 zeigen.

Hinsichtlich des elektrischen Verhaltens haben derartige Verrundungen positive Auswirkungen, indem sie die an Außenecken (Ecken < 180°) auftretenden lokalen Feldstärkeerhöhungen und die an Innenecken (Ecken > 180°) von abknickenden Leiterbahnen auftretenden lokalen Stromdichteerhöhungen begrenzen.

Unter der Ätzrate R versteht man die Dicke T des Materialabtrags pro Zeiteinheit t, d. h. R = T/t.

Aus historischen Gründen werden Layer, welche Dotiergebiete definieren, in der Fachsprache immer noch „Diffusionslayer“ genannt, auch wenn die Dotierung heute über Ionenimplantation erfolgt. Wir wollen in diesem Buch diesen mittlerweile irreführenden Begriff aber vermeiden und sprechen deshalb von „Dotierungslayern“.

Das Verständnis gesperrter p-n-Übergänge ist für den Layoutentwurf wichtig. Wir behandeln dieses Thema im Zusammenhang mit den Entwurfsregeln (Kap. 6, Abschn. 6.2) und den Zuverlässigkeitsmaßnahmen (Kap. 7, Abschn. 7.1.4).

„BCD“ steht für „Bipolar, CMOS, DMOS“. BCD-Prozesse eignen sich zur Integration elektronischer Systeme auf einem Chip (Kap. 1, Abschn. 1.2.2). Ein BCD-Chip enthält analoge Schaltkreise (Bipolar, CMOS), digitale Signalverarbeitung (CMOS) und Leistungsendstufen (DMOS).

Mechanischer Stress verändert die Leitfähigkeit des Siliziums, was sich insbesondere auf symmetrische Analogschaltungen negativ auswirkt. In Kap. 6, Abschn. 6.6.3, zeigen wir hierzu Gegenmaßnahmen.

Der Spannungsabfall berechnet sich nach dem ohmschen Gesetz aus dem Produkt des Stromes I mit dem Widerstand R und wird von IC-Designern deshalb oft als IR-Drop bezeichnet.

Wie bereits in Kap. 1, Abschn. 1.3.2 erläutert, bezeichnet man im Kontext des Layoutentwurfs die zu konstruierenden Ebenen auch als „Layer“.

Dieser Name stammt von einer antiken Verzierungstechnik der Metallverarbeitung, die man auch als „Damaszierung“ (abgeleitet vom Namen der Stadt Damaskus) bezeichnet. Bei dieser Technik werden Metalle wie Gold oder Silber in vorgefertigte Vertiefungen eingelegt, um künstlerische Muster zu erzeugen.

Die „Ausbeute“ ist das Verhältnis der Anzahl funktionaler Chips zur Gesamtzahl der produzierten Chips.

Der immer noch übliche Fachjargon ist „Anschlussdiffusion“. Da die Dotierung in modernen Prozessen aber nicht mehr durch Diffusion, sondern Implantation erzeugt wird, wollen wir in diesem Buch diesen Begriff vermeiden (vgl. auch Fußnote auf Seite 65).

Die Beziehung gilt streng genommen nur im thermodynamischen Gleichgewicht, d. h. wenn die Generation und Rekombination von Ladungsträgern (vgl. Kap. 1, Abschn. 1.1.3) im Gleichgewicht sind, wovon wir hier ausgehen. Die intrinsische Ladungsträgerdichte selbst steigt mit der Temperatur stark an.

p-dotierte Substrate werden den (prinzipiell auch möglichen) n-dotierten Substraten allgemein vorgezogen, da sich das Die-Substrat dann auf dem niedrigsten Potenzial der integrierten Schaltung befindet. Wird dieses als Bezugspotential (0 V) definiert, kann man in der Schaltungsentwicklung komplett mit positiven Spannungswerten arbeiten.

O. Kononchuk, B.-Y. Nguyen, Silicon-On-Insulator (SOI) Technology: Manufacture and Applications, Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials, Bd. 58 (Elsevier, Amsterdam, 2014). ISBN 978-0857095268. https://doi.org/10.1016/C2013-0-16306-4

J. D. Plummer, M. Deal, P. D. Griffin, Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling (Pearson, London, 2000). ISBN 978-0130850379

J. Lienig, M. Thiele, Fundamentals of Electromigration-Aware Integrated Circuit Design (Springer, Cham, 2018). ISBN 978-3-319-73557-3. https://doi.org/10.1007/978-3-319-73558-0

R. J. Baker, CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation (Wiley, Hoboken, 2010). ISBN 978-0-470-88132-3

P. van Zant, Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing (McGraw-Hill Publ. Comp, New York, 2004). ISBN 978-0071432412

Title: Halbleitertechnologie: Vom Silizium zum integrierten Schaltkreis
Authors: Jens Lienig
Jürgen Scheible
Publisher: Springer International Publishing
Book: Grundlagen des Layoutentwurfs elektronischer Schaltungen
Print ISBN: 978-3-031-15767-7

Electronic ISBN: 978-3-031-15768-4

Copyright Year: 2023
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-031-15768-4_2