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2022 | OriginalPaper | Chapter

6. MOS-Feldeffekttransistoren

Author : Peter Baumann

Published in: Prüfungsfragen zur Elektronik

Publisher: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Die gestellten Fragen beziehen sich zunächst auf die Funktion und die Kennlinien von Anreicherungs- und Verarmungs-MOSFET. Die gegebenen Antworten stützen sich dabei auch auf Gleichungen zu den MOSFET-Modellen, wie sie im Programm PSPICE verwendet werden. Die Fragen zur Wirkungsweise von Schaltungen wie Kleinsignal-Verstärker, Konstant-Stromquelle oder zu CMOS-Baugruppen wie Inverter, Oszillator, Übertragungsgatter und Multiplexer sind so angelegt, dass die Anwendung schrittweise erfasst werden kann.

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Literature
1.
Post, H.-U.: Entwurf und Technologie hochintegrierter Schaltungen. B. G. Teubner, Stuttgart (1989)
2.
Baumann, P., Möller, W.: Schaltungssimulation mit Design Center. Fachbuchverlag Leipzig-Köln, Leipzig (1994)
3.
Kainka, B.: Handbuch der analogen Elektronik. Franzis Verlag, Poing (2000)
4.
Nührmann, D.: Power MOSFETs. RPB Taschenbuch Franzis Verlag, München (1993)
5.
Lancaster, D.: Das CMOS-Kochbuch. IWT-Verlag, München (1994)
6.
Müller, K.H.: Elektronische Schaltungen und Systeme. Vogel Buchverlag, Würzburg (1990)
Metadata
Title
MOS-Feldeffekttransistoren
Author
Peter Baumann
Copyright Year
2022
Book
Prüfungsfragen zur Elektronik

Print ISBN: 978-3-658-37823-3

Electronic ISBN: 978-3-658-37824-0

Copyright Year: 2022

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-37824-0_6