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01-06-2015 | Issue 2/2015

Journal of Computational Electronics 2/2015

Multiscale approaches for the simulation of InGaN/GaN LEDs

Journal:
Journal of Computational Electronics > Issue 2/2015
Author:
Matthias Auf der Maur

Abstract

In this work we review basic aspects of multiscale approaches for combining atomistic with continuous media descriptions and quantum mechanical with semiclassical drift–diffusion transport models for LED simulations. We show how hybrid coupling of the Green’s function formalism with drift–diffusion simulations can give additional insight into device behaviour without compromising too much computational efficiency, and that the inclusion of atomistic tight-binding calculations in a multiscale framework can help in understanding specific features related to alloy fluctuations.

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