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2007 | OriginalPaper | Chapter

Physics-Based Simulation of 1/f Noise in MOSFETs under Large-Signal Operation

Authors : Sung-Min Hong, Hong-Hyun Park, Chan Hyeong Park, Myoung Jin Lee, Hong Shick Min, Young June Park

Published in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Publisher: Springer Vienna

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1/

f

noise in MOSFETs under large-signal excitation, which is important in CMOS analog and RF circuits, is modeled as a perturbation in the semiconductor equations employing the oxide-trapping model. The oxide-trapping model for a MOSFET in periodic large-signal operation shows that 1/

f

noise reduces more than the small-signal noise model predicts as the gate OFF voltage decreases further below the threshold voltage.

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Metadata
Title
Physics-Based Simulation of 1/f Noise in MOSFETs under Large-Signal Operation
Authors
Sung-Min Hong
Hong-Hyun Park
Chan Hyeong Park
Myoung Jin Lee
Hong Shick Min
Young June Park
Copyright Year
2007
Publisher
Springer Vienna
Book
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright Year: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_21