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2015 | OriginalPaper | Chapter

7. Rauschmechanismen in Transistoren

Authors : Albrecht Zwick, Jochen Zwick, Xuan Phuc Nguyen

Published in: Signal- und Rauschanalyse mit Quellenverschiebung

Publisher: Springer Berlin Heidelberg

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Zusammenfassung

In diesem Kapitel wird das Rauschen von Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren in verschiedenen Frequenzbereichen hergeleitet und ihre Eisatzbereiche dargestellt.

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Literature
[MF73]
C.D. Motchenbacher, F.C. Fitchen. Low-Noise Electronic Design. Wiley, New York, 1973.
[MJ93]
C.D. Motchenbacher, J.A. Connelly. Low-Noise Electronic System Design. Crystal Dreams Pub, Berlin, 1993. Eine optionale Notiz.
Metadata
Title
Rauschmechanismen in Transistoren
Authors
Albrecht Zwick
Jochen Zwick
Xuan Phuc Nguyen
Copyright Year
2015
Publisher
Springer Berlin Heidelberg
Book
Signal- und Rauschanalyse mit Quellenverschiebung

Print ISBN: 978-3-642-54036-3

Electronic ISBN: 978-3-642-54037-0

Copyright Year: 2015

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-642-54037-0_7