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01-07-2010 | Technical Paper | Issue 7/2010

Microsystem Technologies 7/2010

Reliability of RF MEMS switches due to charging effects and their circuital modelling

Journal:
Microsystem Technologies > Issue 7/2010
Authors:
Romolo Marcelli, Giancarlo Bartolucci, George Papaioannu, Giorgio De Angelis, Andrea Lucibello, Emanuela Proietti, Benno Margesin, Flavio Giacomozzi, François Deborgies

Abstract

The reliability of RF MEMS switches is typically reduced by charging effects occurring in the dielectrics. The aim of this paper is to discuss these effects, and to propose analytical and equivalent circuit models which account for most of the physical contributions present in the structure.

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