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2007 | OriginalPaper | Chapter

Simulation Study of Multiple FIN FinFET Design for 32nm Technology Node and Beyond

Authors : Xinlin Wang, Andres Bryant, Omer Dokumaci, Phil Oldiges, Wilfried Haensch

Published in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Publisher: Springer Vienna

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In this work, we investigate multiple FIN FinFET source/drain designs to reduce series resistance and source/drain-to-gate capacitance. The tradeoffs between the increased parasitic capacitance and reduced parasitic resistance are explored using 3D device simulations.

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Metadata
Title
Simulation Study of Multiple FIN FinFET Design for 32nm Technology Node and Beyond
Authors
Xinlin Wang
Andres Bryant
Omer Dokumaci
Phil Oldiges
Wilfried Haensch
Copyright Year
2007
Publisher
Springer Vienna
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_30